MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)管可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在n溝道場(chǎng)效應(yīng)管的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚場(chǎng)效應(yīng)管的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí)，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。

選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，這個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道場(chǎng)效應(yīng)管，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。

一般來說，我們?cè)O(shè)計(jì)的器件額定電壓越大，成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使場(chǎng)效應(yīng)管不會(huì)失效。就選擇場(chǎng)效應(yīng)管而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備（如變壓器）誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同，在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS場(chǎng)效應(yīng)管處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)最大電流的器件便可。

場(chǎng)效應(yīng)管的功率耗損是通過Iload2×RDS（ON）計(jì)算的，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之變化。對(duì)便攜式設(shè)計(jì)來說，采用較低的電壓比較容易（較為普遍），而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì)，可采用較高的電壓。注意RDS（ON）電阻會(huì)隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS（ON）電阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。

設(shè)計(jì)工程師必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)最壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不會(huì)失效。

導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大，也一定程度上決定了器件的開關(guān)性能。不過，如果系統(tǒng)對(duì)開關(guān)性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。

南京卡斯電子有限公司鉆研半導(dǎo)體領(lǐng)域20余年，擁有豐富的選型經(jīng)驗(yàn)，如果您有需要，我司將提供專業(yè)的技術(shù)顧問為您1V1服務(wù)，歡迎來電咨詢選購(gòu)！