2022 年 7 月，捷捷微電 特此專題推出新一代 100V P 溝道 SGT MOSFET，比起上一代設(shè)計(jì)，F(xiàn)OM 性能改善 20%，實(shí)現(xiàn)國(guó)際領(lǐng)先。先進(jìn)PDFN3x3-8L 及 PDFN5x6-8L 薄型封裝，比傳統(tǒng)SOP-8L 及DPAK封裝，面積縮小 64% 及 48%，高度降低45% 及55%，極為適合緊湊型終端設(shè)計(jì)。同時(shí)，PDFN5x6-8L 的引腳具低應(yīng)力且長(zhǎng)達(dá) 0.275mm，極大程度地改善自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)印刷電路板組裝(PCBA)的焊點(diǎn)良率，進(jìn)一步保證終端的穩(wěn)定工作和長(zhǎng)期可靠性。

100V P 溝道 MOSFET 的驅(qū)動(dòng)電路相比 N 溝道 MOSFET 更加簡(jiǎn)單，滿足超性能運(yùn)算(HPC)、工業(yè)5.0(IE)、車載電子(Autonomous Driving Svstem.ADS)后裝市場(chǎng)的「高端負(fù)載、防反接電路、電池反向保護(hù)、B/BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換的高邊開關(guān)」等應(yīng)用對(duì)系統(tǒng)長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)作、陝?wù)瓚?yīng)用空間、及減少電路關(guān)鍵故障點(diǎn)的不斷需求。

新一代P溝道JPEET ^® 性能達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平，主要電氣參數(shù)如RDS(ON)_Typ和 FOM均優(yōu)于國(guó)際一線半導(dǎo)體IDM 同類產(chǎn)品。其中JMPL1050AU 采用薄小型 PDFN3x3-8L封裝，在VGs=10V的條件下，器件的RDS(ON)_Typ及FOM測(cè)量值分別低達(dá) 38mΩ/760，均為國(guó)際領(lǐng)先水平。此外，一流的線性模式/安全工作區(qū)(SOA)特性，使器件在大電流的工作狀態(tài)下，仍能實(shí)現(xiàn)安全可靠的運(yùn)作。極低的導(dǎo)通電阻有助干提高運(yùn)行效能，降低系統(tǒng)成本，并延長(zhǎng)器件的使用壽命。

捷捷微電 功率 MOSFET 市場(chǎng)總監(jiān) 樊君:「新一代的P溝道JPFET 系列，提供插件式和新型貼片式兩類高質(zhì)量封裝，完美滿足客戶在 40~72V 等工作電壓的應(yīng)用。在占空比少于 30% 的 DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換中，JMPL1050AU 應(yīng)該是當(dāng)下業(yè)界在高電能轉(zhuǎn)換效率、簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)電路、PCBA、長(zhǎng)期安全可靠性各方面考量下，最好的選擇之一。捷捷微電將持續(xù)開發(fā)多個(gè)耐壓范圍、性能優(yōu)越的P 溝道 SGT MOSFETs，以滿足新能源、超性能運(yùn)算和車載電子等終端對(duì)功率器件的需求?！?/span>

目前新一代P溝道 JPEET 已規(guī)模量產(chǎn)，樣品可申請(qǐng)。產(chǎn)品規(guī)格書，輔助系統(tǒng)電路設(shè)計(jì)的資料如 POD (package outline drawing)、仿真模型 H-Spice 及P-Spice等具體信息，均可聯(lián)系我司查詢。