MOS管全稱Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體，就是以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。

功率場效應(yīng)晶體管分為結(jié)型和絕緣柵型,通常主要指絕緣柵型中的MOS型,簡稱功率mos，它具有功耗低、噪聲小、動(dòng)態(tài)范圍大、輸入電阻高（107～1015Ω）、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn) 。

以JMTM8205A為例，它的一些數(shù)據(jù)是：Vds=20V，ID=5A，RDS (on)typ @4.5V=18m?，RDS (on)max @4.5V=26m?，RDS (on)typ @2.5V=23m?，RDS (on)max @2.5V=34m?。

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