MOSFET（半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）一般是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬一絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的source源極）和drain耗盡層）是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的期間被認(rèn)為是對(duì)稱的。場(chǎng)效應(yīng)管又分為PMOS管和NMOS管，都屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

小編以JMTV3010A為例，它的封裝外形是DFN2X2-6L，Vds是30V，ID是20A，Vth typ是1.5V，VGS是±20V，RDS (on)typ @10V是7.5m?，RDS (on)max @10V是10m?，RDS (on)typ @4.5V是11.5m?，RDS (on)max @4.5V是17m?，MPQ是3000PCS，MOQ是30000PCS。

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