因為MOS管的開關(guān)特性，可以讓整個射頻功率放大器在開關(guān)狀態(tài)，從而提高整機的效率，改善技術(shù)性能，同時使發(fā)射機的射頻功率放大器處于低電壓范圍內(nèi)，有利于電子設(shè)備的穩(wěn)定運行，所以它會被用于大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機的射頻功率放大器中。

MOS管是有別于結(jié)型場效應(yīng)管的絕緣柵型場效應(yīng)管，一般分為耗盡型場效應(yīng)管和增強型場效應(yīng)管，有三個電極，即柵極、漏極與源極。

當他的柵源電壓VGS≤0時，有幾率產(chǎn)生漏源電流ID的絕緣柵型場效應(yīng)管，而VGS≥0的時候則為增強型場效應(yīng)管。一般情況下使用的射頻功率場效應(yīng)都是增強型MOS管，所以只需要提供正向偏壓即可保持元器件的正常工作。

我們以韋爾半導(dǎo)體研發(fā)的數(shù)字化調(diào)幅發(fā)射機即DAM發(fā)射機來說明MOS管在射頻功放中的應(yīng)用，將控制載波點平和音頻調(diào)制的模擬信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號后，再重新編碼變?yōu)榭刂粕漕l功放模塊開關(guān)的控制信號，通過控制相應(yīng)數(shù)量的射頻功放模塊的開關(guān)數(shù)量來實現(xiàn)調(diào)幅。而DAM發(fā)射機取消了傳統(tǒng)的高電平音頻功放，所有的射頻功率放大器均工作與D類開關(guān)狀態(tài)。

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